EEPROM/フラッシュ書換え寿命対策(ウェアレベリング)

解決できる課題

不揮発メモリの書換え寿命延長

実現したい仕様・課題

マイコン内蔵のEEPROMやデータフラッシュには書換え回数の上限(1万～100万回)があり、ロギング用途や頻繁なパラメータ更新を行う製品では、同一アドレスへの書き込みが集中して、製品寿命より先にメモリが寿命を迎えてしまう懸念があります。

設計のポイント

書き込みアドレスを順次ローテーションさせて使用する「ウェアレベリング」と、最新データを示すヘッダ・カウンタ管理を組み合わせることで、特定セクタへの書き換え集中を回避します。あわせて、書き込みを行うタイミングの最適化や書き込みブロックの切り替えによって書き込み回数そのものを抑える設計とすることで、不揮発メモリの実質的な書換え寿命を大幅に延長できます。